AUIRS212(7,71,8,81)S
100
80
M ax.
60
Typ.
40
M in.
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
o
Figure 11A. CS Shutdown Prop. delay vs. Temperature
400
350
300
Figure 11B. CS Shutdown Prop. delay vs. Voltage
250
M ax.
Typ.
200
M in.
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
o
Figure 12A. CS to Fault pull-up Prop. delay vs.
Temperature
320
290
M ax.
Figure 12B. CS to Fault Prop. delay vs. Voltage
2.2
2.0
260
1.8
M ax.
Typ.
230
Typ.
1.6
M in.
200
M in.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
Temperature ( o C)
Figure 13A. 2127(8) V CSTH+ threshold voltage vs.
Temperature
www.irf.com
14
o
Figure 13B. 2127(8)1 V CSTH+ threshold voltage vs.
Temperature
? 2012 International Rectifier
相关PDF资料
AUIRS21811S IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
AUIRS2181S IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
AUIRS21844S IC DRIVER HALF-BRIDGE 14NSOIC
AUIRS2191S IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16NSOIC
AUIRS2301S IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
AUIRS2302S IC DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC
AUIRS2336S IC GATE DRIVER HV 3PHASE 28SOIC
AUIRS4426S IC DRIVER LOW SIDE DUAL 8SOIC
相关代理商/技术参数
AUIRS21281S 功能描述:功率驱动器IC AUTO 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
AUIRS21281STR 功能描述:功率驱动器IC AUTO 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
AUIRS2128S 功能描述:功率驱动器IC AUTO 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
AUIRS2128STR 功能描述:功率驱动器IC AUTO 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
AUIRS21811S 功能描述:功率驱动器IC High Low Side DRVR 600V 160ns 1.9A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
AUIRS21811STR 功能描述:功率驱动器IC High Low Side DRVR 600V 160ns 1.9A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
AUIRS21814S 功能描述:功率驱动器IC High Low Side DRVR 600V 160ns 1.9A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
AUIRS21814STR 功能描述:功率驱动器IC High Low Side DRVR 600V 160ns 1.9A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube